“硅材料加工”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4388055个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硅材料加工工艺-CN202310805370.1在审
发明人：辛长林;王宇;陈浩;崔金石 -专利权人：安徽高芯众科半导体有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本申请涉及硅材料技术领域，具体公开了硅材料加工工艺。本申请的硅材料加工工艺，包括以下步骤：先采用切削液#3对原材料进行粗磨加工，采用切削液#1对硅材料进行第一次研磨，并进行外径加工；采用切削液#2对硅材料进行打孔加工，再采用酸液对硅材料进行酸性孔蚀刻，采用切削液#1对硅材料进行两次研磨后，进行外段径加工；最后采用切削液#1对硅材料进行第四次研磨后，得成品；在加工过程中，对研磨和打孔的硅材料进行超声清洗，且采用接触式和非接触式相结合方式进行测量，保证加工余量合理；经本申请加工工艺，所得硅材料的打孔效果优异，具有广阔的市场前景。
材料加工工艺

[发明专利]一种制备吸波硅材料的激光无氧加工装置-CN201810815987.0有效
发明人：梅雪松;王文君;陈同;陶涛;崔健磊;潘爱飞 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：一种制备吸波硅材料的激光无氧加工装置，包括底座，底座和冷却水腔体的下端连接，冷却水腔体的上端外部通过螺纹连接有无氧加工腔体，冷却水腔体的上端中部为硅材料安放平台，其中心设有一个台阶通孔，台阶通孔的台阶上放置待加工的硅材料，台阶通孔侧壁上加工有螺纹，圆环通孔螺栓与台阶通孔侧壁上的螺纹配合，安装在硅材料的上表面，硅材料将冷却水腔和无氧加工腔分开；无氧加工腔体顶部开有石英玻璃窗，侧壁连接有两个气体开关阀；冷却水腔体连接有两个冷却水开关阀；本发明可以实现硅材料在无氧的环境下加工，防止硅材料表面在激光加工过程中变成二氧化硅，同时防止激光烧蚀产生的沉积颗粒结晶。
硅材料无氧冷却水腔体台阶通孔加工腔体加工装置上端螺纹侧壁底座吸波制备激光加工激光加工过程冷却水开关气体开关阀石英玻璃窗螺栓安放平台侧壁连接二氧化硅激光烧蚀颗粒结晶冷却水腔螺纹连接加工腔上表面通孔下端圆环沉积外部配合

[发明专利]一种光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料及其制备方法-CN201610319859.8在审
发明人：刘银;高烨华;蒋美义;王厚东 -专利权人：安徽理工大学;淮南市金德实业有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开一种光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料及其制备方法,属于太阳能光伏晶体硅加工废弃物综合利用领域。光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料包含以下重量份数的原料：聚丙烯80～90份，光伏晶体硅加工废料10～20份，偶联剂2～4份，润滑剂1～2份，抗氧化剂1～2份。使用光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料，不仅可以改善聚丙烯材料的不足，而且大大降低了改性聚丙烯材料的成本，对开展光伏晶体硅加工废料的资源化利用研究具有十分重要的意义。采用本发明的方法改性的聚丙烯材料提高了聚丙烯材料的力学性能及耐热性能，具有高韧性、成型收缩率大、刚性强度大等优点。
一种晶体加工废料改性聚丙烯材料及其制备方法

[发明专利]一种从氯硅烷加工副产物中提取细硅粉的方法及应用-CN202010560186.1在审
发明人：席先锋;邵向东;田春;杨琛;陈荣雄 -专利权人：中天东方氟硅材料有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及新能源材料与技术领域，尤其涉及一种从氯硅烷加工副产物中提取细硅粉的方法及应用，在氯硅烷加工副产物中加入低沸点溶剂和/或低沸点低官能度氯硅烷进行洗涤，过滤，即得细硅粉产品。该方法得到的细硅粉在含硅锂离子电池电极材料和含硅超级电容器电极材料中的应用。本发明的提取方法所得细硅粉产物的金属组分含量低，可避免电极材料的短路现象，适用于锂离子电池负极材料的制备，本发明从氯硅烷加工副产物中提取细硅粉的方法，开拓了有机硅及多晶行业副产细硅粉的新用途，解决了有机硅、多晶硅行业里最大的危险固废的无害化处理问题。
一种硅烷加工副产物提取细硅粉方法应用

[发明专利]高强度镍铬硅铜合金材料及其加工工艺-CN200910248653.0有效
发明人：白继明;杨素娟;王嗣杰;李廷元 -专利权人：沈阳兴工铜业有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：高强度镍铬硅铜合金材料及其加工工艺涉及一种铜合金材料及其加工工艺，更具体地说，是涉及高强度镍铬硅铜合金材料及其加工工艺。本发明提供了一种毒性小、成本低的高强度镍铬硅铜合金材料及其加工工艺。本发明的加工工艺为：熔铸、压力加工、高温固溶淬火热处理、冷压力加工、时效热处理、机械加工。
强度镍铬硅铜合金材料及其加工工艺

[发明专利]一种硅材料的蒸发速率测定方法和系统-CN202211253649.5在审
发明人：房然然;李俊昌;安东尼;李思民;李骋 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅材料的蒸发速率测定方法和系统，包括：控制高速摄像机拍摄在无风且恒温恒湿环境中水滴在硅材料样品的加工区域表面的扩散过程图像并获取水在蒸发过程中不同时刻的天平测量数据；所述扩散过程图像包括硅材料样品湿润部分的轮廓；逐帧处理所述扩散过程图像并统计硅材料样品表面的加工区域面积；计算所述扩散过程图像中每个时刻硅材料样品表面的润湿区域面积；根据加工区域面积和润湿区域面积，计算得到实际润湿面积；根据不同时刻的实际润湿面积，计算不同时刻的水的蒸发速率，得到硅材料样品的蒸发速率。本发明实施例解决了现有技术对于硅材料的蒸发速率的测定还不够准确的技术问题。
一种材料蒸发速率测定方法系统

[发明专利]一种梯度铝硅电子封装材料的制备方法-CN201510812388.X有效
发明人：华鹏;周伟;昝祥;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度铝硅电子封装材料的制备方法，具体步骤包括(1)采用铸造或者粉末冶金方法制备出铝硅材料，经搅拌摩擦加工处理获得硅颗粒细化、分布均匀的致密铝硅合金；(2)在铝硅合金上开钻均匀分布的盲孔，将硅粉末均匀填入孔中并压实，经过搅拌摩擦加工获得一定厚度的铝硅复合材料层；(3)重复步骤(2)，通过控制搅拌针尺寸、盲孔尺寸及间距，获得硅的质量百分比呈梯度分布的梯度铝硅合金。本发明通过搅拌摩擦加工的方法，获得成分呈现连续性梯度分布的铝硅合金，以使得铝硅合金在不同的位置具有不同的热导性、不同的热膨胀系数和不同的机械性能，以满足作为封装材料的需求。
一种梯度电子封装材料制备方法

[发明专利]一种易加工的复合绝热材料制备方法-CN201811547961.9在审
发明人：赵明;肖飞;许壮志;薛健;岳鑫;刘坤 -专利权人：辽宁省轻工科学研究院有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C04B41/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种易加工的复合绝热材料制备方法，该方法主要以轻质硅钙板和硅质溶胶液体为原料，掺加一定质量的化工原料，经凝胶处理和超临界干燥后制得复合绝热材料。该方法使用硅钙板为骨架材料，硅质气凝胶填充其中，大大提高了硅钙板的绝热效果，又使得该复合材料具有了可加工的力学强度。可钻孔、切削等。易制备出异型的绝热材料，方便使用。
复合绝热材料硅钙板制备易加工硅质超临界干燥绝热方法使用骨架材料化工原料绝热材料溶胶液体复合材料气凝胶切削钻孔掺加凝胶轻质填充力学加工

[发明专利]针对SiC材质实现大尺度、高深宽比三维结构加工方法-CN201210517235.9无效
发明人：朱健;侯智昊;石归雄;郁元卫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：本发明是一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，包括如下工艺步骤：一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；二、在硅基上异质生长SiC材料；三、将硅腐蚀掉，最后形成优点：解决了由于SiC材质类似于金刚石的硬度而无法或很难直接进行大尺度、高深宽比三维结构加工，利用MEMS牺牲层技术和SiC材料生长技术巧妙结合，实现SiC大尺度、高深宽比三维结构加工；本发明包括硅基三维结构设计，硅基上异质生长SiC材料，结构释放，SiC三维结构形成。
针对 sic 材质实现尺度高深三维结构加工方法

[发明专利]一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备-CN202111665891.9在审
发明人：张俐楠;沈同舟;刘红英;吴立群;王洪成 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明涉及微纳米制造技术领域，尤其涉及一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备，所述方法包括以下步骤：（S.1）采用激光加工的方式，制备具有空腔的硅基材料；（S.2）在热场中置入（S.1）所述中已制备得到的具有空腔的硅基材料，进行热处理工艺；（S.3）在（S.2）所述环境中加入电场，对硅基材料进行诱导成形，完成硅基材料内部球形空腔三维结构。本发明首先将经过激光加工后的硅基材料进行热处理，在经过热处理后，硅材料空腔处的硅原子的原子迁移率大幅提升，然后在加入电场进一步对硅基材料进行诱导成形促使硅基内部三维结构成形，本发明在制备过程中具有简单可控的优点
一种基材内部形成球形空腔方法设备

[发明专利]一种镍硅青铜合金材料及其加工工艺-CN200810049744.7有效
发明人：张书远;陈少华;张文芹;王庆彦;卢燕;叶成效;韩卫光;赵万花;王刚;曹秀兰 -专利权人：中铝洛阳铜业有限公司
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍硅青铜合金材料及其加工工艺，其中的镍硅青铜合金材料是以Cu－Ni－Si元系为基的合金，由铜、镍、硅为主要合金及锰、铁微量元素和杂质构成；通过轧制工艺加工方法和挤压拉伸工艺加工方法制作成不同的材料，本发明加工的镍硅青铜合金材料成本低，工艺简单，技术含量高，质量好，采用轧制工艺加工方法制作成的板材或带材，力学性能达到：Rm480～580MPa，维氏硬度HV100～150，A≥10％；采用挤压拉伸工艺加工制作的棒材或型材
一种青铜合金材料及其加工工艺

[发明专利]一种开方后硅块的检测方法-CN201611115947.2在审
发明人：俞豪威;梁庭卫 -专利权人：安徽爱森能源有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： B07B13/04 文献下载
摘要：本发明的目的是一种开方后硅块的检测方法，该硅块的检测方法包括以下步骤(1)硅块材料初步筛选，(2)然后对硅块的表面进行少子寿命测试，(3)硅块材料精筛，通过对小锭的均值进行范围筛选，将不合格的硅块小锭进行去除，能够对硅块的表面进行检测，将不合格的硅块进行筛除，提高硅块的合格率，降低硅板加工损坏率，降低生产加工的成本。
一种开方后硅块检测方法

[发明专利]一种基于摩擦诱导构造单晶硅表面纳米凸起结构的加工方法-CN200910059272.8有效
发明人：钱林茂;周仲荣;余丙军;余家欣 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种基于摩擦诱导构造单晶硅纳米凸起结构的加工方法，在扫描探针显微镜上采用尖端部为球冠状的金刚石针尖为加工工具，对单晶硅材料表面进行扫描；金刚石针尖上施加的载荷为单晶硅材料表面发生破坏的临界理论载荷的0.02－1倍，即可在单晶硅材料表面加工形成线状或面状及其他复杂形状的凸起结构。该方法在实施过程中不需要外加电场，不需要对材料表面进行任何化学处理，对环境无污染；只要通过针尖对材料表面施加一定载荷，就可以在表面加工出纳米级凸起结构；加工过程简单；加工重复性好；凸起结构的机械稳定性好加工中使用大曲率半径的针尖，并且所用的载荷小，针尖的使用寿命长。
一种基于摩擦诱导构造单晶硅表面纳米凸起结构加工方法

[发明专利]高硅铝合金材料的铣削方法-CN202310763516.0在审
发明人：李逸林;张明亮;吉红伟;吕维迪;付纳新;麻思达;卞玉柱;马宁 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B23C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高硅铝合金材料的铣削方法，包括以下步骤：使用多晶金刚石刀具，以顺铣的切削路径加工高硅铝合金材料工件，刀具的主轴转速为5000r/min～15000r/min，高硅铝合金材料工件的每齿进给量为本发明可用于新一代电子封装材料70％Si/Al合金的切削加工；减小了刀具磨损，提高了刀具使用寿命；减小了工件的裂纹、崩边、掉角等加工损伤现象，降低了加工废品率，提高了加工效率。优选的，刀具的主轴转速为10000r/min，高硅铝合金材料工件的每齿进给量为0.03mm/z。
铝合金材料铣削方法

[发明专利]一种基于硅醚键的高性能聚硅氧烷弹性体及其制备方法-CN202210278234.7在审
发明人：郑俊萍;闫幸幸;冯炳维 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C08G18/61 文献下载
摘要：本发明公开一种基于硅醚键的高性能聚硅氧烷弹性体及其制备方法，先将氨基封端的聚硅氧烷与异氟尔酮二异氰酸酯反应得到聚硅氧烷长链，同时在材料中引入了氢键作为牺牲键增强力学性能；然后利用动态硅醚键在材料内部形成动态交联网络，制备具有良好的力学性能、热稳定性和可再加工性能的聚硅氧烷弹性体材料。本发明提供一种氢键作牺牲键、动态硅醚键交联的可再加工聚硅氧烷弹性体材料及其制备方法，能够提高聚硅氧烷弹性体的力学性能。
一种基于硅醚键性能聚硅氧烷弹性体及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条